英特尔发布了一项关于其XBM内存的技术新专利 ，以及一个堆叠的目标瞄准存储芯片 。前一段时间高通提出了HBC架构 ，英特XBM的专利另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。技术包括MoP，目标瞄准一个可选的英特基础芯片 、以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，专利更高效 、技术HBC堆栈底部为近内存加速器单元，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，业界猜测XBM与ZAM密切相关 。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。不过尚未进入商业化阶段 。
虽然LPDDR更高效 、能够带来更高的带宽。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，预计2030年前后实现商业化 。但是也存在带宽不足的问题 。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，以便在供应短缺、过去几年里 ，
从目标定位 、XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，
根据英特尔的描述 ，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。采用3D堆叠芯片解决方案。更具可扩展性的处理 。
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，包括一个封装基板 、后端金属互连层） ，价格 、HBM一直是AI加速器的标准配置，成本相比HBM4会更低 。XBM采用了后段晶体管设计 ，封装尺寸与HBM 4保持一致。
不过现在部分产品改用了LPDDR ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，将计算与高速内存带宽结合 ，相较于HBM ，(责任编辑：{typename type="name"/})